1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 6qtX3pFwXQZsFDuKxG/E8FMQ |
Repositório | sid.inpe.br/marciana/2004/11.11.15.03 |
Última Atualização | 2004:11.11.02.00.00 (UTC) administrator |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/marciana/2004/11.11.15.03.54 |
Última Atualização dos Metadados | 2018:06.05.01.28.48 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE-11531-PRE/6920 |
ISSN | 0021-8979 |
Chave de Citação | FerreiradaSilva:1994:ThElPr |
Título | Theoretical Electronic Properties Of Silicon Containing Bismuth |
Ano | 1994 |
Mês | Nov. |
Data de Acesso | 18 maio 2024 |
Tipo Secundário | PRE PI |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 359 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | Ferreira da Silva, A. |
Grupo | LAS-INPE-MCT-BR |
Revista | Journal of Applied Physics |
Volume | 76 |
Número | 9 |
Páginas | 5249-5252 |
Histórico (UTC) | 2004-11-11 17:03:55 :: sergio -> administrator :: 2006-09-28 22:36:53 :: administrator -> sergio :: 2008-01-07 12:50:04 :: sergio -> administrator :: 2008-06-10 22:05:11 :: administrator -> marciana :: 2011-05-25 23:20:57 :: marciana -> administrator :: 2018-06-05 01:28:48 :: administrator -> marciana :: 1994 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Palavras-Chave | METAL-INSULATOR-TRANSITION SEMICONDUCTOR SYSTEMS NONMETAL TRANSITIONS DOPED SEMICONDUCTORS EFFECTIVE-MASS SI-P STATES CONDUCTIVITY RESISTIVITY ACTIVATION |
Resumo | The electrical conductivities of n-doped silicon and, in particular Si:Bi, have been investigated far doping levels greater than the impurity critical concentration N-c for the metal-nonmetal transitions. A general feature of the conductivity for concentration normalized to N-c is presented in the order sigma(Bi)>sigma(As)>sigma(P)>sigma(Sb). For Si:Bi, the value of N-c is calculated for different criteria. The mobility of electrons presents a lower value compared to Si:P. The results for Si:P and Si:As are compared to the experimental data available in the literature. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Theoretical Electronic Properties... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
URL dos dados | http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/E8FMQ |
URL dos dados zipados | http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/E8FMQ |
Idioma | en |
Arquivo Alvo | theoretical electronic.pdf |
Grupo de Usuários | administrator sergio |
Visibilidade | shown |
Detentor da Cópia | SID/SCD |
Política de Arquivamento | allowpublisher allowfinaldraft |
Permissão de Leitura | allow from all |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX. |
Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | affiliation alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | marciana |
atualizar | |
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