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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/E8FMQ
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/11.11.15.03
Última Atualização2004:11.11.02.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/11.11.15.03.54
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.28.48 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11531-PRE/6920
ISSN0021-8979
Chave de CitaçãoFerreiradaSilva:1994:ThElPr
TítuloTheoretical Electronic Properties Of Silicon Containing Bismuth
Ano1994
MêsNov.
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho359 KiB
2. Contextualização
AutorFerreira da Silva, A.
GrupoLAS-INPE-MCT-BR
RevistaJournal of Applied Physics
Volume76
Número9
Páginas5249-5252
Histórico (UTC)2004-11-11 17:03:55 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:36:53 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:50:04 :: sergio -> administrator ::
2008-06-10 22:05:11 :: administrator -> marciana ::
2011-05-25 23:20:57 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:28:48 :: administrator -> marciana :: 1994
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveMETAL-INSULATOR-TRANSITION
SEMICONDUCTOR SYSTEMS
NONMETAL TRANSITIONS
DOPED SEMICONDUCTORS
EFFECTIVE-MASS
SI-P
STATES
CONDUCTIVITY
RESISTIVITY
ACTIVATION
ResumoThe electrical conductivities of n-doped silicon and, in particular Si:Bi, have been investigated far doping levels greater than the impurity critical concentration N-c for the metal-nonmetal transitions. A general feature of the conductivity for concentration normalized to N-c is presented in the order sigma(Bi)>sigma(As)>sigma(P)>sigma(Sb). For Si:Bi, the value of N-c is calculated for different criteria. The mobility of electrons presents a lower value compared to Si:P. The results for Si:P and Si:As are compared to the experimental data available in the literature.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Theoretical Electronic Properties...
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4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/E8FMQ
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/E8FMQ
Idiomaen
Arquivo Alvotheoretical electronic.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentoallowpublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituraallow from all
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosaffiliation alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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